1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低； ◆开关速度快； ◆雪崩耐量高； 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片； ◆通态压降低； ◆可靠性高； ◆成本低； 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆低饱和压降，导通损耗小； ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆关速度快，关损耗小 ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
应用方案
应用笔记
行业信息
永利总站ylzz55科技精彩亮相中国电源学会展览… 11月9日，2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七… 2024-11-12 了解更多
永利总站ylzz55科技邀您相约中国电源学会第二… 永利总站ylzz55科技即将于2024年11月9日-10日受邀亮相2024中国电力电子与能… 2024-10-31 了解更多
展会回顾丨永利总站ylzz55科技精彩亮相PCI… 8月28~30日，PCIM Asia 2024深圳国际电力元件、可再生能源管… 2024-09-02 了解更多
芯片
分立器件
功率模块
BGBM
应用方案
应用笔记
行业信息
